Рыжий, Виктор Иванович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Виктор Иванович Рыжий
Дата рождения 2 октября 1946(1946-10-02) (77 лет)
Место рождения Станислав
Страна  СССР Россия
Род деятельности учёный
Научная сфера математическое моделирование
Место работы НИИ физических проблем,
ФТИ АН CССР,
ИСВЧПЭ РАН
Альма-матер МФТИ
Учёная степень доктор физико-математических наук (1976)
Учёное звание профессор (1982)
член-корреспондент АН СССР (1987)
член-корреспондент РАН (1991)
Научный руководитель А. Д. Гладун
Награды и премии
Премия Ленинского комсомола — 1978

Виктор Иванович Рыжий (род. 1946) — советский и российский учёный, специалист в области физики и математического моделирования элементной базы вычислительной техники, член-корреспондент АН СССР (1987), член-корреспондент РАН (1991).

Биография[править | править код]

Родился 2 октября 1946 года[1].

В 1967 году — окончил МФТИ, специальность «Радиофизика и электроника»[1].

В 1970 году — защитил кандидатскую диссертацию[1].

С 1970 по 1979 годы — ассистент, доцент МФТИ[1].

В 1976 году — защитил докторскую диссертацию[1].

С 1979 по 1986 годы — начальник отдела НИИ физических проблем МЭП СССР[1].

В 1982 году — присвоено учёное звание профессора[1].

С 1986 по 1988 годы — ведущий научный сотрудник, заведующий лабораторие Института общей физики АН СССР[1].

В 1987 году — избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1991 году — членом-корреспондентом РАН[1].

С 1988 по 1993 годы — заместитель директора по научной работе ФТИ АН CССР[1].

С 1993 по 1996 годы — научный консультант НИЦ «Микроэл»[1].

С 1996 по 2012 годы — профессор университета Айзу (Япония)[1].

С 2013 по 2014 годы — заведующий лабораторией Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН), с 2014 года по настоящее время — главный научный сотрудник[1].

Научная деятельность[править | править код]

Внёс вклад в теорию абсолютной отрицательной проводимости и квантовых состояний в двумерных электронных системах, в физику инфракрасных и терагерцовых фотодетекторов, лазеров и плазменных приборов на квантовых ямах и точках, а также графеновых структурах; разработал принципы математического моделирования полупроводниковых микро- и наноприборов[2].

Автор более 200 научных публикаций в том числе 10 патентов на изобретения[1].

Входит в состав редакционного совета журнала «Нано- и микросистемная техника»[3].

Награды[править | править код]

Примечания[править | править код]

  1. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Рыжий Виктор Иванович. isvch.ru. Дата обращения: 2 июля 2017. Архивировано из оригинала 20 марта 2017 года.
  2. Рыжий В.И. Вестник МГТУ имени Н. Э. Баумана. vestnikprib.ru. Дата обращения: 2 июля 2017. Архивировано 2 мая 2017 года.
  3. Журнал «Нано- и микросистемная техника». microsystems.ru. Дата обращения: 2 июля 2017. Архивировано 16 июня 2017 года.
  4. Распоряжение Президента Российской Федерации от 5 февраля 2024 года № 32-рп «О поощрении»

Ссылки[править | править код]