Двуреченский, Анатолий Васильевич

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Двуреченский.

Анатолий Васильевич Двуреченский
Дата рождения	10 апреля 1945(1945-04-10) (79 лет)
Место рождения	Барнаул, Алтайский край, РСФСР, СССР
Страна	СССР  Россия
Род деятельности	физик
Научная сфера	физика полупроводников
Место работы	ИФП СО РАН, НГУ
Альма-матер	НГУ
Учёная степень	доктор физико-математических наук (1988)
Учёное звание	профессор (1993), член-корреспондент РАН (2008)
Награды и премии

Анато́лий Васи́льевич Двуре́ченский (род. 10 апреля 1945, Барнаул) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1988), профессор (1993), член-корреспондент РАН (2008), член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, заместитель директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (2000), заведующий лабораторией неравновесных полупроводниковых систем (1987).

Автор и соавтор более 380 научных публикаций. Имеет более 4000 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша (2021 год) — 28.

Биография

Родился 10 апреля 1945 года в Барнауле, Алтайского края в семье Василия Арсентьевича Двуреченского и Ефросиньи Григорьевны Двуреченской.

В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета и начал работать в лаборатории радиационной физики Института физики полупроводников СО АН СССР.

Защитил кандидатскую диссертацию по теме «Взаимодействие дефектов, введенных ионной бомбардировкой, между собой и примесью» в 1974 году. В 1988 году защитил докторскую диссертацию по теме «Радиационная модификация неупорядоченных систем на основе кремния».

С 1987 г. возглавляет лабораторию неравновесных полупроводниковых систем.

В 1988 г. вместе с коллегами из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе и ФИАН становится лауреатом Государственной премии СССР за "Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твёрдых тел («лазерный отжиг»).

С 1987 г. преподаёт на кафедре физики полупроводников физического факультета НГУ, где разработал и читает курсы «Радиационная физика полупроводников» и «Физические основы нанотехнологии». С 1991 г. — профессор этой кафедры.

В 1993 г. присвоено звание профессора по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков».

С 2002 года занимает должность заместителя директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН по научной работе.

В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «наноэлектроника»).

В рамках международного сотрудничества работал в университете штата Нью Йорк в Олбани, США; исследовательском центре Россендорф, Дрезден, Германия; университете Фудань, Шанхай, КНР.

С 2012 года является членом комиссии по развитию физики Международного Союза Фундаментальной и Прикладной Физики (International Union of Pure and Applied Physics, IUPAP).

Под руководством А. В. Двуреченского защищено 12 кандидатских и 6 докторских диссертационных работ. Является автором и соавтором более 380 научных публикаций, включая главы в 9 коллективных монографиях, 10 авторских свидетельств, 3 патентов.

Научные интересы

Основные научные интересы относятся к радиационной физики, атомной структуре и электронным явлениям в полупроводниковых и полупроводниковых низкоразмерных системах, технологии полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Областями научной деятельности являются атомная и электронная конфигурация дефектов, вводимых в полупроводники при облучении быстрыми частицами, синтез полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков, гетероструктуры с квантовыми точками, квантовыми ямами, лазерный отжиг.

Основная направленность проводимых исследований была связана с разработкой метода и технологии процесса легирования полупроводников с помощью ионной имплантации, а также нейтронного облучения. В реализации радиационных методов легирования полупроводников главная проблема заключалась в огромном количестве дефектов, возникающих в материале при насильственном введении даже единичного элемента с помощью ускорительной техники. Вводимые дефекты катастрофически изменяли свойства материала, особенно полупроводников, как наиболее чувствительных к внешним воздействиям даже при слабых потоках частиц. Дефекты фактически маскировали проявление легирования материала — изменение свойств, связанных с внедренным химическим элементом. Полученные А. В. Двуреченским с коллегами результаты исследований формирования и перестройки дефектов, перехода кристалла в аморфное состояние при ионном облучении привели к первым успехам в решении проблем легирования материала. Температура перекристаллизации амортизированных ионной имплантацией слоев оказалась заметно ниже температуры устранения многих точечных и протяженных дефектов кристаллической структуры.

Научные достижения

Прорывным успехом в решении проблемы устранения дефектов стало «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел („лазерный отжиг“)» — именно под таким названием за цикл работ по исследованию процессов взаимодействия импульсного излучения с твердым телом в 1988 году А. В. Двуреченскому с коллегами из ИФП СО АН, КФТИ АН, ФТИ им. Иоффе, ФИАН была присуждена Государственная премия СССР. Суть явления заключалась в восстановлении кристаллической структуры после импульсного воздействия лазерного излучения на ионно-легированные полупроводниковые пластины с аморфным слоем. Скорость превращения аморфного слоя в монокристаллическую область оказалась на много порядков выше типичных величин скоростей роста кристаллов, и этот факт вызывал особый интерес у исследователей различных областей к лазерному отжигу. А. В. Двуреченским с коллегами установлены закономерности структурных превращений и растворимости легирующих элементов при высоких скоростях кристаллизации в условиях импульсного лазерного/электронного воздействия на аморфные слои кремния. В рамках международного сотрудничества по теме «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники» в 1988 году ему с коллегами была присуждена международная премия Академий наук СССР и ГДР. С позиций практических применений развитое направление обеспечило наиболее полную реализацию достоинств технологии ионной имплантации, ставшую в настоящее время главной и фактически единственной технологией в процессах легирования полупроводников при производстве изделий электронной техники во всем мире. Импульсный (лазерный) отжиг также стал базовой технологией в ведущих мировых фирмах — производителях различных схем и устройств электронной техники.

На основе проводимых в настоящее время исследований морфологических изменений поверхности при росте из молекулярных, ионно-молекулярных пучков и последующего лазерного отжига А. В. Двуреченским с сотрудниками разработана технология создания нового класса полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками в системе германий/кремний (двумерные и трехмерные ансамбли квантовых точек). Предложены и разработаны методы, обеспечивающие повышение однородности ансамбля квантовых точек по размерам, упорядочению их в пространстве; выполнены пионерские работы по изучению электрических, оптических и магнитных явлений в созданных наногетероструктурах; выявлены одноэлектронные и коллективные эффекты; установлены электронная структура одиночных и ансамбля туннельно-связанных квантовых точек, закономерности переноса заряда, оптических переходов и спиновых состояний. На основе полученных фундаментальных результатов по направлению «Нанотехнологии и наноматериалы» разработаны новые подходы в создании полупроводниковых приборов.

Общественная деятельность

Является заместителем председателя Научного совета РАН по проблеме «Радиационная физика твердого тела», членом научных советов РАН по проблемам «Физика полупроводников» и «Физико-химические основы материаловедения полупроводников», членом редколлегии журналов «Известия ВУЗов, материалы электронной техники», «Успехи прикладной физики», заместителем председателя диссертационного совета по защитам докторских и кандидатских диссертаций при ИФП СО РАН, руководителем ряда программ СО РАН, членом Экспертного совета ВАК по физике.

Библиография

Основной источник:

• Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л. С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с. (в соавт.)
• Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1980. 292 с. (в соавт.)
• Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М., 1982. 208 с. (в соавт.)
• Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг) // Соросовский образоват. журн. 2004. Т. 8, № 1. С. 1−7.
• Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2007. 367 с. (в соавт.)
• A survey of semiconductors radiation techniques. Moscow: Mir, 1982. 288 p.
• Intersubband Infrared photodetectors, selected topics in electronics and systems. N. Jersey; L.; Singapore; Hong Kong: Word scientific, 2003. Vol. 27. 937 c. (в соавт.)
• Toward the first silicon laser. Dordrecht;·Boston;·L.: Kluver acad. publ., 2003. 482 p. (в соавт.)
• Handbook of semiconductor nanostructures and nanodevices. North Lewis Way, Stevenson Ranch, California: Am. scient. publ., 2006. Vol. 1. 515 p. (в соавт.)
• Nanoscaled semiconductor-on-insulator structures and devices. Dordrecht: Springer, 2007. 369 p. (в соавт.)

Награды и почётные звания

• Государственная премия СССР (1988) в составе авторов за цикл работ «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (лазерный отжиг)».
• Международная премия академии наук СССР и академии наук Германской демократической республики (1988) в составе авторов за цикл совместных работ «Разработка физических основ ионно-импульсной модификации материалов микроэлектроники».
• Почётные грамоты РАН (1999, 2004 гг.), Министерства образования и науки РФ (2007), города Новосибирска (2014, 2015 гг.).
• Премия Правительства РФ в области образования (2014).
• Почётная грамота Президента Российской Федерации (26 февраля 2024 года) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук.

Литература

• Профессора НГУ. Физический факультет. Персональный состав. 1961—2014 гг. / Cост. Н. Н. Аблажей, С. А. Красильников; отв. ред. В. А. Александров. — Новосибирск: РИЦ НГУ, 2014. — 540 с. — ISBN 978-5-4437-0326-8.

Ссылки

• Профиль Анатолия Васильевича Двуреченского на официальном сайте РАН
• Страница А. В. Двуреченского на сайте Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН