Переход со смещением

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
(перенаправлено с «Деформационный переход»)
Перейти к навигации Перейти к поиску

Переход со смещением — тип фазового перехода характерен для некоторых сегнетоэлектриков, в том числе для перовскитов, например, для BaTiO3. До наступления фазового перехода каждый ион в таких кристаллах обычно занимает одно предпочтительное положение. Однако ниже точки перехода, под воздействием дополнительного поля от смещений ионов в соседних ячейках, минимальная точка потенциальной энергии сдвигается из центрального симметричного положения в асимметричное, что приводит к возникновению спонтанной поляризации. Уровень ангармоничности потенциала ионов остаётся относительно малым, что характерно для кристаллических структур. Фазовый переход происходит при сравнительно низких температурах, близких к обычным, что меньше, чем типичные атомные энергии порядка 1—10 эВ, из-за особенностей структуры, влияющих на жесткость при данной деформации ячейки. Все известные случаи таких фазовых переходов являются переходами первого рода, однако они близки ко второму роду: разность Ec и температуры T0, используемая в законе Кюри — Вейса для определения параэлектрической проницаемости, мала по сравнению с Tc[1]:

где  — константа Кюри — Вейса,  — температура Кюри — Вейса[1].

Малость ангармоничности допускает использование не только приближения самосогласованного поля, но и более точных количественных методов, основанных на разложении по степеням параметров ангармоничности, например, квадратов соотношений амплитуд колебаний ионов к межионным расстояниям. В термодинамике это соответствует разложению по Гинзбургу — Девонширу, в динамике — наличию кокреновского колебания с малым и сильно меняющимся с температурой энергетическим зазором. Эти методы позволяют более глубоко развить теорию сегнетоэлектриков типа смещения, обеспечивая количественное рассмотрение статистики и динамики. Несмотря на то, что вблизи точки перехода корреляционные эффекты становятся значительными и точное теоретическое описание становится невозможным, даже в этой критической области возможно провести полуколичественное изучение термодинамических процессов[1].

Примечания[править | править код]

  1. 1 2 3 Вакс, 1973, с. 14.

Литература[править | править код]

  • Вакс В. Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков. — М.: Наука, 1973. — 328 с.